在缺陷构造中，缺陷能级通常在导带以下产生，并且当光生电子转移到N2分子

В дефектной структуре уровень энергии дефекта обычно генерируется ниже зоны проводимости, и когда фотогенерированные электроны переносятся в молекулу N2, они часто сначала переходят на уровень энергии дефекта. Из-за более низкой энергии зоны энергии уровня дефекта, некоторая энергия будет потеряна во время передачи [1]. Релаксация энергии электронов уменьшит мощность переноса электронов молекулам N2, тем самым снизив эффективность передачи.

При конструкции дефекта уровень энергии дефекта обычно производится ниже направляющей полосы, и когда фотоэлектроны передаются молекуле N2, они часто передаются сначала на уровень энергии дефекта. Часть энергии теряется во время передачи из-за низкой энергии полосы энергии дефекта энергетического уровня. Расслабление электронной энергии снижает мощность электронов к молекуле N2, тем самым снижая эффективность передачи.

In defect structure, the defect energy level is usually generated below the conduction band, and when photogenerated electrons transfer to N2 molecule, they usually transfer to the defect energy level first. Because the band energy of defect level is low, some energy will be lost in the transmission process [1]. The relaxation of electron energy will reduce the power of electron transfer to N2 molecule, thus reducing the transmission efficiency.<br>