The maximum VBUS loop inductance sh

The maximum VBUS loop inductance shall be 900 nH and the maximum mutual inductance(M) between VBUS and low speed signal lines (CC, SBU_A, SBU_B, D+, D−) shall be as specifiedin Table 3-26 to limit VBUS inductive noise coupling on low speed signal lines . For full nCopyright © 2019 USB 3.0 Promoter Group. All rights reserved.featured cables, the range of VBUS bypass capacitance shall be 8nF up to 500nF as any of thevalues in the range is equally effective for high-speed return-path bypassing.

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VBUS的最大环路电感应为900 nH， VBUS与低速信号线（CC，SBU_A，SBU_B，D +，D−）之间的最大互感（M）应符合 表3-26的规定，以限制VBUS的电感噪声低速信号线上的耦合。完整n 版权所有©2019 USB 3.0推广组织。版权所有。 如果使用专用电缆，则VBUS旁路电容的范围应为8nF至500nF，因为 该范围内的任何值对于高速回路旁路均有效。

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最大 VBUS 环路电感应为 900 nH，最大互电感 VBUS 和低速信号线（CC、SBU_A、SBU_B、D+、D+）之间的（M）应如规定 在表3-26中，以限制低速信号线上的VBUS电感噪声耦合。对于完整 n 版权© 2019 USB 3.0 推广集团。保留所有权利。 具有电缆，VBUS 旁路电容的范围应为 8nF 至 500nF，作为任何 范围内的值对于高速返回路径旁路同样有效。

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最大VBUS回路电感应为900毫安，最大互感 （M） VBU和低速信号线（CC、SBU_A、SBU_B、D+、D-）之间应符合规定 在表3-26中，限制低速信号线上的VBUS感应噪声耦合。对于全n 版权所有©2019 USB 3.0 Promotor Group。版权所有。 特色电缆，VBUS旁路电容的范围应为8nF至500nF 该范围内的值对高速回路旁路同样有效。

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