As the defect concentration increas

As the defect concentration increases, an almost insulating behavior was observed for n-type conduction while a metallic behavior was observed for p-type conduction, the conductance showed a plateau above the Dirac point and suppression of ambipolar behavior in graphene

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随着缺陷浓度的增加，对于n型导电，观察到几乎绝缘的行为，而对于p型导电，观察到金属的行为，该电导显示出在狄拉克点以上的平台并抑制了石墨烯中的双极性行为。

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随着缺陷浓度的增加，n型导电呈现几乎绝缘的行为，而p型导电呈现金属的行为，电导在Dirac点上方呈现平台，抑制了石墨烯的双极行为<br>

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