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当加入双氧水作为强氧化剂，大量空穴通过铜颗粒注入到硅的价带，大大加快反
当加入双氧水作为强氧化剂，大量空穴通过铜颗粒注入到硅的价带，大大加快反应速率，但是由于铜优先在不是（111）的晶面沉积，因此各向异性沉积导致各向异性刻蚀
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When hydrogen peroxide is added as a strong oxidant, a large number of holes are injected into the valence band of silicon through copper particles, which greatly speeds up the reaction rate, but because copper is preferentially deposited on the crystal plane other than (111), anisotropic deposition leads to anisotropic etching
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When hydrogen peroxide is added as a strong oxidant, a large number of holes are injected into the silicon valence band through copper particles, greatly speeding up the reaction rate, but because copper is preferred in the not (111) of the crystal surface deposition, so anisotropy deposition causes anisotropy
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When hydrogen peroxide is added as a strong oxidant, a large number of holes are injected into the valence band of silicon through copper particles, which greatly speeds up the reaction rate. However, since copper is preferentially deposited on a crystal surface other than (111), anisotropic deposition leads to anisotropic etching<BR>
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