摘要：砷化镓材料作为典型的第二代半导体材料，具有宽禁带、耐高温、功率消

摘要：砷化镓材料作为典型的第二代半导体材料，具有宽禁带、耐高温、功率消耗低等优点。

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Abstract: As a typical second-generation semiconductor material, gallium arsenide material has the advantages of wide band gap, high temperature resistance, and low power consumption.

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Abstract: As a typical second-generation semiconductor material, arsenide material has the advantages of wide-cut belt, high temperature resistance and low power consumption.

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Abstract: as a typical second generation semiconductor material, GaAs has the advantages of wide band gap, high temperature resistance and low power consumption.

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