Figure 2c displays a HAADF-STEM micrograph focusing on a triple juncti的简体中文翻译

Figure 2c displays a HAADF-STEM mic

Figure 2c displays a HAADF-STEM micrograph focusing on a triple junction, whereas the bottom grain has been tilted to its ⟨001⟩ zone axis. The corresponding scanning transmission electron microscopy−energy-dispersive spectroscopy (STEM-EDS) mapping is shown in Figure 2d with Ti and K elements highlighted. There is an obvious nanoscale K segregation and incorporation into the perovskite grain boundary regions and triple points in Figure 2b. Comparing Figure 2c and Figure 2d, one can note in the EDS data that the K segregation area overlaps with 3−4 atomic layers of BTO unit cells at the bottom grain as viewed here. It indicates that the formation of the grain boundary during cold sintering is accompanied by the incorporation of K-ions into the A-site of the perovskite lattice, with little evidence of the corresponding Na ions being incorporated intothese regions. In summary, these observations indicate both high densities, with some preferential incorporation of K+ ions into the lattice near the grain boundaries and at triple points.
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图 2c 显示了聚焦在三重结上的 HAADF-STEM 显微照片,而底部晶粒已向其 ⟨001⟩ 区轴倾斜。相应的扫描透射电子显微镜-能量色散光谱 (STEM-EDS) 映射如图 2d 所示,其中突出显示了 Ti 和 K 元素。图 2b 中存在明显的纳米级 K 偏析并掺入钙钛矿晶界区域和三相点。比较图 2c 和图 2d,可以在 EDS 数据中注意到 K 偏析区域与底部晶粒处的 3-4 个 BTO 晶胞原子层重叠,如此处所见。这表明冷烧结过程中晶界的形成伴随着 K 离子掺入钙钛矿晶格的 A 位,几乎没有证据表明相应的 Na 离子掺入<br>这些地区。总之,这些观察结果表明两种高密度,一些 K+ 离子优先结合到晶界附近和三相点的晶格中。
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图2c显示了聚焦于三重连接的HAADF-STEM显微照片,而底部晶粒已倾斜至其表面⟨001⟩ 区域轴。相应的扫描透射电镜−能量色散光谱(STEM-EDS)图如图2d所示,突出显示了Ti和K元素。图2b中的钙钛矿晶界区域和三相点存在明显的纳米级K偏析和掺入。比较图2c和图2d,可以在EDS数据中注意到K偏析区域与3重叠−如图所示,底部晶粒上有4层BTO单元的原子层。这表明,在冷烧结过程中,晶界的形成伴随着K离子并入钙钛矿晶格的A位,几乎没有证据表明相应的Na离子并入钙钛矿晶格<br>这些地区。综上所述,这些观察结果表明,密度较高,晶界附近和三相点处的晶格中优先掺入了K+离子。<br>
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图2c显示了聚焦于三重结的HAADF-STEM显微照片,而底部颗粒已经倾斜到其⟨001⟩带轴。图2d显示了相应的扫描透射电子显微镜-能量色散光谱(STEM-EDS)图谱,并突出显示了钛和钾元素。在图2b中,存在明显的纳米级钾偏析并结合到钙钛矿晶界区域和三点中。对比图2c和图2d,可以注意到在能谱数据中,钾分离区与底部晶粒的3-4个BTO晶胞原子层重叠,如图所示。这表明在冷烧结过程中晶界的形成伴随着钾离子进入钙钛矿晶格的α位,几乎没有证据表明相应的钠离子进入这些地区。总之,这些观察表明两者都是高密度的,在晶界附近和三相点处,K+离子优先结合到晶格中。
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