Fig. 3 shows the MW dielectric prop

Fig. 3 shows the MW dielectric properties of the LiF ceramics as function of the processing temperatures. εr of as cold-sintered ceramics is ~6.4 and increases significantly with increasing annealing temperature until a maximum of 8.2 at 800 ◦C. The trend of εr is in good agreement with the variation of relative density, indicating that the microstructure is the dominating factor in controlling εr. According to Alford et al., the effect of porosity (P) on εr is revealed using the following equation: [23]

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图3显示了LiF陶瓷的MW介电性能随加工温度的变化。作为冷烧结陶瓷的εr为〜6.4，并随着退火温度的升高而显着增加，直到800℃时达到8.2的最大值。εr的变化趋势与相对密度的变化非常吻合，表明微观结构是控制εr的主要因素。根据Alford等人的说法，孔隙率（P）对εr的影响可通过以下公式揭示：[23]

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图3显示了LiF陶瓷的MW介电特性作为加工温度的作用。μr 作为冷烧陶瓷是 ±6.4，随着退火温度的增加而显著增加，直到最大 8.2 在 800μC 下。μr的趋势与相对密度的变化十分一致，表明微观结构是控制r的主导因素。根据阿尔福德等人的说法，孔隙度（P）对r的影响使用以下方程显示：[23]

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图3显示了LiF陶瓷的MW介电性能随加工温度的变化。冷烧结陶瓷的εr约为6.4，随着退火温度的升高显著增加，在800℃时达到最大值8.2。εr的变化趋势与相对密度的变化很一致，表明微观结构是控制εr的主要因素。，孔隙率（P）对εr的影响可通过以下公式得出：[23]<br>

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