分子动力学方法研究磁流变抛光过程中，砷化镓晶体的原子尺度划擦机制，并分

分子动力学方法研究磁流变抛光过程中，砷化镓晶体的原子尺度划擦机制，并分别研究磨粒粒径，法向力和各向异性的GaAs对表面划痕的影响。

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Molecular dynamics method was used to study the atomic scale scratching mechanism of gallium arsenide crystal during magnetorheological polishing, and to study the effects of abrasive particle size, normal force and anisotropic GaAs on the surface scratch.

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Molecular dynamics methods study the atomic scale sclicing mechanism of the gallium arsenide crystals in the process of magnetic rintated polishing, and study the effects of grinding particle size, aicent force and anisotropy GaAs on the surface scratches.

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The molecular dynamics method is used to study the atomic scale scratching mechanism of GaAs crystal in the process of MRF polishing, and to study the effects of abrasive particle size, normal force and anisotropic GaAs on the surface scratches.<br>

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