With the device feature size is get

With the device feature size is getting smaller and smaller, will inevitably encounterdevice structure, the key technology, integration technologies and materials in a series ofproblems, the reason is mainly: The laws of physics, and other scientific awareness of theproblem also remain in the birth and development ofintegratedcircuits formed by the earlyclassical or semi-classical theory on the basis of these theories to describe micron for themicroelectronics devices, but the space for nano-scale magnitude and spatial scales of the orderof femtosecond of the new system- on-chip device is difficult to apply in the material system,the SiO2 gate dielectric material, polysilicon I silieide gate electrode, and other traditionalmaterials due to the material properties of the constraints, have failed to meet the 50-nanometerdevices and circuits in demand At the same time the strueture of the traditional devices havefailed to meet the 50 nanometer devices, we must develop a new type of device strueture andmicro-machining,  interconnection, and integration of key technology. Specific needsinnovation and the development of key areas, including Based on quantum physics andmesoscopic semiconductor devices based on the transport theory, the device model, simulationand smulation software, the new device structure, high-k gate dieletrie material and a neweatestueture and electon bcam seppr, 13 nmEUV litography, etching ulrafinc lines, sol,GeSi /.Si, and other sicon. based technology compatible with the new circuit, and low-Kdeletric Cu inrononee dvies and notecnology and quantum elecronie dev ices and theintegration of technology