By reduction of film peeling ,and i

By reduction of film peeling ,and introducing a high-sensitivity defect inspection after W-CMP of each VIA process, for the corresponding capacitor, by setting the screening conditions for the high-voltage pulse, the failure rate of the IC design is 1ppm or less within 1 year after IC shipped out from ROHM.

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通过减少膜剥离的，并引入每个VIA处理的W-CMP后的高灵敏度缺陷检测，对于相应的电容器，通过设置筛选条件为高电压脉冲时，IC设计的故障率是1PPM或少1后一年内从IC ROHM运出。

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通过减少薄膜剥离，并在每个VIA工艺的W-CMP后引入高灵敏度缺陷检测，对相应的电容器，通过设置高压脉冲的筛选条件，IC设计的故障率为1ppm或更少IC 从 ROHM 运出后 1 年内。

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通过减少薄膜剥落，并在每个通孔工艺的W-CMP后引入高灵敏度缺陷检测，对相应的电容器，通过设置高压脉冲的筛选条件，在IC从ROHM出厂后1年内，IC设计的故障率为1ppm或更低。

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