尤其针对具有各向异性特性的砷化镓，相同的抛光液配方以及抛光工艺，在不同

尤其针对具有各向异性特性的砷化镓，相同的抛光液配方以及抛光工艺，在不同晶向表面会产生不同分布特征的划痕，

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Especially for gallium arsenide with anisotropic properties, the same polishing solution formulation and polishing process will produce scratches with different distribution characteristics on different crystal surfaces,

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Especially for arsenide, which has anisotropy properties, the same polishing solution formulation and polishing process, scratches of different distribution characteristics can be produced on different crystal line surfaces.

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Especially for GaAs with anisotropic characteristics, the same polishing solution formula and polishing process will produce scratches with different distribution characteristics on different crystal direction surfaces,<br>

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