得到N / C约为0.25的氮化碳膜。然后，以双氰胺丙酮溶液为电解液，

得到N / C约为0.25的氮化碳膜。然后，以双氰胺丙酮溶液为电解液，在1.00-1.50v电压下制备出N/C为0.48的氮化碳薄膜，结果表明电解液和衬底对氮化碳薄膜的结构和性能有明显的影响。同时，选择三聚氯氰和三聚氰胺溶液作为电解质，在25℃和12.00kv高压下成功地在硅衬底上合成了C3N4薄膜。与其他合成方法相比，虽然制得的氮化碳氮含量较低，但具有以下两个优点：①反应设备简单；②工艺简单，易于规模化和产业化。

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A carbon nitride film with N / C of about 0.25 was obtained. Then, the carbon nitride film with N / C of 0.48 was prepared with dicyandiamide acetone solution as electrolyte under the voltage of 1.00-1.50v. The results show that the electrolyte and substrate have obvious influence on the structure and properties of carbon nitride film. At the same time, C3N4 thin films were successfully synthesized on silicon substrate at 25 ℃ and 12.00kv under high voltage using cyanuric chloride and melamine solution as electrolyte. Compared with other synthesis methods, although the content of nitrogen in carbon nitride is low, it has the following two advantages: ① simple reaction equipment; ② simple process, easy to scale and industrialization.<br>

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