이러한 비정질 또는 나노 결정 산화물 박막은 투명 도전막과 달리

이러한 비정질 또는 나노 결정 산화물 박막은 투명 도전막과 달리 비정질 혹은 나노 결정질 특성을 띄는 동시에반도체적 특성을 나타내기 때문에 TFT의 소스와 드레인 사이에 위치하는 채널로 사용될 수 있다. 그리고 전자이동도가 높기 때문에 트랜지스터의 ON/OFF 비를 작게 하여 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 투명하기때문에 투명 TFT를 구성할 수 있고, 저온에서 성막이 가능하여 공정 온도를 낮추어 원가절감을 실현할 수도 있다. 뿐만 아니라 비정질 실리콘 박막은 기존의 다결정 실리콘 박막에서는 달성할 수 없었던 평탄도의 향상을이룰 수 있다.

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与透明导电膜不同，非晶态或纳米晶态的氧化物薄膜可以用作位于TFT的源极和漏极之间的沟道，因为它具有非晶态或纳米晶态的特性和半导体特性。另外，由于电子迁移率高，因此可以通过降低晶体管的导通/截止比来提高装置的可靠性。另外，由于它是透明的，所以可以形成透明的TFT，并且可以在低温下形成膜，从而可以降低处理温度以实现成本降低。另外，非晶硅薄膜可以实现平坦度的改善，这是常规的多晶硅薄膜无法实现的。

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这种非晶或纳米晶体氧化物薄膜可用作位于TFT源和漏极之间的通道，因为它表现出半导体特性，同时具有非晶或纳米晶体特性，而不是透明挑战膜。由于电子移动率高，通过减小晶体管的开/关比，可以提高元件的可靠性。此外，由于透明，可以配置透明TFT，在低温下可以薄膜，通过降低工艺温度实现成本节约。此外，非晶硅薄膜可以改善平坦度，这是传统多晶硅薄膜无法达到的。

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这种非晶质或纳米结晶氧化物薄膜与透明挑战膜不同，具有非晶质或纳米晶质特性的同时，还具有半导体特性，因此可以用作TFT的源和Drean之间的渠道。而且，由于电子移动度高，可以降低晶体管的ON/OFF费，提高元件的可靠性。另外，透明可以构成透明TFT，在低温下可以进行性膜，降低工程温度，实现降低成本。不仅如此，非晶质硅胶薄膜在现有的多晶硅薄膜上无法达成的平坦度的提高。<br>

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